1N8035-GA Datenblatt
Technische Daten für 1N8035-GA
Artikelnummer : 1N8035-GA
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 14.6A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 15A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-276AA
Supplier Device Package : TO-276
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 250°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-1N8035-GA
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
18136 Stücke
Referenzpreis
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