2SK3666-2-TB-E Datenblatt
Technische Daten für 2SK3666-2-TB-E
Artikelnummer : 2SK3666-2-TB-E
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : JFET NCH 30V 200MW 3CP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 600µA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max : 10mA
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id : 180mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein) : 200 Ohms
Leistung max : 200mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : 3-CP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
JFET NCH 30V 200MW 3CP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5403985 Stücke
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