2SK4125-1E Datenblatt
Technische Daten für 2SK4125-1E
Artikelnummer : 2SK4125-1E
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 17A
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 610 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P-3L
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-2SK4125-1E
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 17A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
52644 Stücke
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