5LN01C-TB-H Datenblatt
Technische Daten für 5LN01C-TB-H
Artikelnummer : 5LN01C-TB-H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 50V 100MA CP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.57nC @ 10V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6.6pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 250mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 3-CP
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-5LN01C-TB-H
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 100MA CP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
52338 Stücke
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