Technische Daten für 70V657S10BC8

Artikelnummer : 70V657S10BC8
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße : 1.125Mb (32K x 36)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 10ns
Zugriffszeit : 10ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 256-LBGA
Supplier Device Package : 256-CABGA (17x17)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
13808 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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