70V657S12BFI Datenblatt
Technische Daten für 70V657S12BFI
Artikelnummer : 70V657S12BFI
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße : 1.125Mb (32K x 36)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 12ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 208-LFBGA
Supplier Device Package : 208-CABGA (15x15)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-70V657S12BFI
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
10448 Stücke
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