A2G35S160-01SR3 Datenblatt
Technische Daten für A2G35S160-01SR3
Artikelnummer : A2G35S160-01SR3
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 3.4GHz ~ 3.6GHz
Gewinnen : 15.7dB
Spannungs - Test : 48V
Aktuelle Bewertung : -
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 190mA
Leistung : 51dBm
Spannung - bewertet : 125V
Paket / fall : NI-400S-2S
Supplier Device Package : NI-400S-2S
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6416 Stücke
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