A2T08VD020NT1 Datenblatt
Technische Daten für A2T08VD020NT1
Artikelnummer : A2T08VD020NT1
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 728MHz ~ 960MHz
Gewinnen : 19.1dB
Spannungs - Test : 48V
Aktuelle Bewertung : 10µA
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 40mA
Leistung : 18W
Spannung - bewertet : 105V
Paket / fall : 24-QFN Exposed Pad
Supplier Device Package : 24-PQFN-EP (8x8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
27482 Stücke
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