A2V07H525-04NR6 Datenblatt
Technische Daten für A2V07H525-04NR6
Artikelnummer : A2V07H525-04NR6
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 595MHz ~ 851MHz
Gewinnen : 17.5dB
Spannungs - Test : 48V
Aktuelle Bewertung : 10µA
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 700mA
Leistung : 120W
Spannung - bewertet : 105V
Paket / fall : OM-1230-4L
Supplier Device Package : OM-1230-4L
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5464 Stücke
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