AON2701_001 Datenblatt
Technische Daten für AON2701_001
Artikelnummer : AON2701_001
Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 10V
FET-Funktion : Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-DFN (2x2)
Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-AON2701_001
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
67455 Stücke
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