APT25GP120BDQ1G Datenblatt
Technische Daten für APT25GP120BDQ1G
Artikelnummer : APT25GP120BDQ1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 69A 417W TO247
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 69A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 90A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 25A
Leistung max : 417W
Energie wechseln : 500µJ (on), 440µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 12ns/70ns
Testbedingung : 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 69A 417W TO247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
40980 Stücke
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