APT35GP120B2DQ2G Datenblatt
Technische Daten für APT35GP120B2DQ2G
Artikelnummer : APT35GP120B2DQ2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 96A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 140A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 35A
Leistung max : 543W
Energie wechseln : 750µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 16ns/95ns
Testbedingung : 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3 Variant
Supplier Device Package : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
30163 Stücke
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