APT47N65BC3G Datenblatt
Technische Daten für APT47N65BC3G
Artikelnummer : APT47N65BC3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7015pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 417W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-APT47N65BC3G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
45606 Stücke
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