APTC60HM45T1G Datenblatt
Technische Daten für APTC60HM45T1G
Artikelnummer : APTC60HM45T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 49A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 25V
Leistung max : 250W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
12776 Stücke
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