APTM100UM45DAG Datenblatt
Technische Daten für APTM100UM45DAG
Artikelnummer : APTM100UM45DAG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 215A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 30mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1602nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 42700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5000W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP6
Paket / fall : SP6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9257 Stücke
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