APTM10DAM05TG Datenblatt
Technische Daten für APTM10DAM05TG
Artikelnummer : APTM10DAM05TG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 278A SP4
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 278A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 700nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 780W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP4
Paket / fall : SP4
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
12152 Stücke
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