APTM20UM05SG Datenblatt
Technische Daten für APTM20UM05SG
Artikelnummer : APTM20UM05SG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 317A J3
Serie : -
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 317A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 448nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 27400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1136W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : Module
Paket / fall : J3 Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-APTM20UM05SG
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 317A J3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5928 Stücke
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