APTM50HM65FT3G Datenblatt
Technische Daten für APTM50HM65FT3G
Artikelnummer : APTM50HM65FT3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
Leistung max : 390W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6688 Stücke
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