APTMC120AM25CT3AG Datenblatt
Technische Daten für APTMC120AM25CT3AG
Artikelnummer : APTMC120AM25CT3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 4mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 197nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3800pF @ 1000V
Leistung max : 500W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9131 Stücke
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