APTMC120HM17CT3AG Datenblatt
Technische Daten für APTMC120HM17CT3AG
Artikelnummer : APTMC120HM17CT3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE - SIC MOSFET
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 332nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5576pF @ 1000V
Leistung max : 750W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - SIC MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9023 Stücke
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