APTSM120AM25CT3AG Datenblatt
Technische Daten für APTSM120AM25CT3AG
Artikelnummer : APTSM120AM25CT3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE - SIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 544nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 1000V
Leistung max : 937W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - SIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9267 Stücke
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