AS6C2008-55BINTR Datenblatt
Technische Daten für AS6C2008-55BINTR
Artikelnummer : AS6C2008-55BINTR
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Asynchronous
Speichergröße : 2Mb (256K x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 55ns
Zugriffszeit : 55ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 36-TFBGA
Supplier Device Package : 36-TFBGA (6x8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
241085 Stücke
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