AUIRF1010Z PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Technische Daten für AUIRF1010Z

Artikelnummer : AUIRF1010Z

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2840pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 140W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

AUIRF1010Z

Interne Teilenummer

AX-AUIRF1010Z

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

330370 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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EPM7256AETC144-7	Intel	IC CPLD 256MC 7.5NS 144TQFP
XCR3384XL-10TQG144C	Xilinx Inc.	IC CPLD 384MC 9NS 144QFP
EPM2210GF256C3N	Intel	IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

AUIRF1010Z Datenblatt

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