AUIRF7343Q Datenblatt
Technische Daten für AUIRF7343Q
Artikelnummer : AUIRF7343Q
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 25V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-AUIRF7343Q
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
27692 Stücke
Referenzpreis
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