AUIRLU3110Z Datenblatt
Technische Daten für AUIRLU3110Z
Artikelnummer : AUIRLU3110Z
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 63A IPAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3980pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 140W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-AUIRLU3110Z
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 63A IPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
16136 Stücke
Referenzpreis
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