BQ4014YMB-120 Datenblatt
Technische Daten für BQ4014YMB-120
Artikelnummer : BQ4014YMB-120
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : NVSRAM
Technologie : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße : 2Mb (256K x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 120ns
Zugriffszeit : 120ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Supplier Device Package : 32-DIP Module (18.42x52.96)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6424 Stücke
Referenzpreis
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