BR25G128FJ-3GE2 Datenblatt
Technische Daten für BR25G128FJ-3GE2
Artikelnummer : BR25G128FJ-3GE2
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : SPI BUS EEPROM
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : EEPROM
Technologie : EEPROM
Speichergröße : 128Kb (16K x 8)
Taktfrequenz : 20MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 5ms
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : SPI
Spannungsversorgung : 1.6V ~ 5.5V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP-J
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
SPI BUS EEPROM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1449235 Stücke
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