BS2100F-E2 Datenblatt
Technische Daten für BS2100F-E2
Artikelnummer : BS2100F-E2
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : IC DVR IGBT/MOSFET
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Angetriebene Konfiguration : Half-Bridge
Kanaltyp : Independent
Anzahl der Treiber : 2
Gate-Typ : N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung : 10V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH : 1V, 2.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) : 60mA, 130mA
Eingabetyp : Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) : 600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) : 200ns, 100ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-BS2100F-E2
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DVR IGBT/MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1043160 Stücke
Referenzpreis
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