BSB044N08NN3GXUMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSB044N08NN3GXUMA1
Artikelnummer : BSB044N08NN3GXUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 97µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall : 3-WDSON
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
319670 Stücke
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