BSB053N03LP G Datenblatt
Technische Daten für BSB053N03LP G
Artikelnummer : BSB053N03LP G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta), 71A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall : 3-WDSON
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9832 Stücke
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