BSC048N025S G Datenblatt
Technische Daten für BSC048N025S G
Artikelnummer : BSC048N025S G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2670pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9226 Stücke
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