BSC077N12NS3GATMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSC077N12NS3GATMA1
Artikelnummer : BSC077N12NS3GATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 60V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 139W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
382135 Stücke
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