BSC205N10LS G Datenblatt
Technische Daten für BSC205N10LS G
Artikelnummer : BSC205N10LS G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 43µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 76W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
50616 Stücke
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