BSC750N10NDGATMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSC750N10NDGATMA1
Artikelnummer : BSC750N10NDGATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 12µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 50V
Leistung max : 26W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PG-TDSON-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
743305 Stücke
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