BSD235NH6327XTSA1 Datenblatt
Technische Daten für BSD235NH6327XTSA1
Artikelnummer : BSD235NH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1.6µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.32nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 63pF @ 10V
Leistung max : 500mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : PG-SOT363-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3887005 Stücke
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