BSD314SPEH6327XTSA1 Datenblatt
Technische Daten für BSD314SPEH6327XTSA1
Artikelnummer : BSD314SPEH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 6.3µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 294pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT363-6
Paket / fall : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4570935 Stücke
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