BSG0810NDIATMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSG0810NDIATMA1
Artikelnummer : BSG0810NDIATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 12V
Leistung max : 2.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : PG-TISON-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
417080 Stücke
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