Technische Daten für BSM080D12P2C008

Artikelnummer : BSM080D12P2C008
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : SIC POWER MODULE-1200V-80A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 13.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 10V
Leistung max : 600W
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
SIC POWER MODULE-1200V-80A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9222 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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