BSO211PHXUMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSO211PHXUMA1
Artikelnummer : BSO211PHXUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1095pF @ 15V
Leistung max : 1.6W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : PG-DSO-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1005755 Stücke
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