BSP295H6327XTSA1 Datenblatt
Technische Daten für BSP295H6327XTSA1
Artikelnummer : BSP295H6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 400µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 368pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT223-4
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1065765 Stücke
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