BSZ086P03NS3EGATMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSZ086P03NS3EGATMA1
Artikelnummer : BSZ086P03NS3EGATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 105µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 57.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4785pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TSDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1399470 Stücke
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