BSZ215CHXTMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSZ215CHXTMA1
Artikelnummer : BSZ215CHXTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel Complementary
FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 419pF @ 10V
Leistung max : 2.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : PG-TSDSON-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
913200 Stücke
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