C3M0065100J Datenblatt
Technische Daten für C3M0065100J
Artikelnummer : C3M0065100J
Hersteller : Cree/Wolfspeed
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Serie : C3M™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 15V
Vgs (Max) : +15V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 600V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 113.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK-7
Paket / fall : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-C3M0065100J
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
43932 Stücke
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