CRY62(TE85L,Q,M) Datenblatt
Technische Daten für CRY62(TE85L,Q,M)
Artikelnummer : CRY62(TE85L,Q,M)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V
Serie : -
Teilestatus : Active
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 6.2V
Toleranz : ±9.68%
Leistung max : 700mW
Impedanz (max.) (Zzt) : 60 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 3V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-123F
Supplier Device Package : S-FLAT (1.6x3.5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2635885 Stücke
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