CSD16327Q3 Datenblatt
Technische Daten für CSD16327Q3
Artikelnummer : CSD16327Q3
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 12.5V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD16327Q3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1047035 Stücke
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