CSD16409Q3 Datenblatt
Technische Daten für CSD16409Q3
Artikelnummer : CSD16409Q3
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 12.5V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.6W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-VSONP (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD16409Q3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1197145 Stücke
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