CSD17318Q2T Datenblatt
Technische Daten für CSD17318Q2T
Artikelnummer : CSD17318Q2T
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.1 mOhm @ 8A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 879pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 16W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-WSON (2x2)
Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD17318Q2T
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1405065 Stücke
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