CSD18511Q5AT Datenblatt
Technische Daten für CSD18511Q5AT
Artikelnummer : CSD18511Q5AT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 159A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 24A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.45V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5850pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 104W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-VSONP (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD18511Q5AT
Hersteller
Kurze Beschreibung
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
498915 Stücke
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