CSD19538Q2T Datenblatt
Technische Daten für CSD19538Q2T
Artikelnummer : CSD19538Q2T
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 454pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-WSON (2x2)
Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD19538Q2T
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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