CSD25304W1015 Datenblatt
Technische Daten für CSD25304W1015
Artikelnummer : CSD25304W1015
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.15V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 595pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 750mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-DSBGA
Paket / fall : 6-UFBGA, DSBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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